Memoria ddr3 4gb kingston - sodimm - 1600mhz - pc3 12800 - cl11

DESCRIPCIÓN
Este documento describe el módulo de memoria de ValueRAM 512M x
64-bit (4GB)DDR3-1600 CL11 SDRAM (Synchronous DRAM) 1Rx8, basado en
ocho componentes FBGA de 512M x 8-bit. El SPD está programado para la
latencia estándar JEDEC DDR3-1600timing de 11-11-11 a 1.5V. Este
SODIMM de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro. Las
especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:
CARACTERÍSTICAS
Norma JEDEC 1.5V (1.425V ~1.575V) Fuente de alimentación
VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
800MHz fCK para 1600Mb/seg/pin
8 banco interno independiente
Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Latencia de aditivos programable: 0, CL - 2, o CL - 1 reloj
Precarga de 8 bits
Longitud de la ráfaga: 8 (Intercalación sin límite, dirección de inicio
secuencial "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permite una lectura
o escritura sin fisuras[ya sea sobre la marcha utilizando A12 o MRS].
Estroboscopio diferencial bidireccional de datos
Calibración interna: Autocalibración interna a través de ZQpin (RZQ : 240
ohm 1%)
Terminación en el troquel usando un pin ODT
Período medio de actualización 7.8us a menos que TCASE 85C,3.9us a
85C &lt, TCASE &lt, 95C
Reinicio asíncrono
PCB : Altura 1.180" (30.00mm), componente de doble cara
ESPECIFICACIONES
CL(IDD)11 ciclos
Duración del ciclo de filas (tRCmin)48.125ns (min.)
Actualizar a Activo / Actualizar 260ns (min.)
Tiempo de comando (tRFCmin)
Fila Tiempo activo (tRASmin) 35ns (min.)
Potencia máxima de funcionamiento 2.100 W*
Clasificación UL 94 V - 0
Temperatura de funcionamiento 0o C a 85o C
Temperatura de almacenamiento -55o C a +100o C
*La potencia variará en función de la SDRAM utilizada.